图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SPB,SPP80P06P H |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 64A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 5.5mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 173nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5033pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 340W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | P-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 5.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | P-TO220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 64A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 340W |
| 标准包装 | 500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5033pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 173nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 80 A |
| 系列 | SPP80P06 |
| RDS（ON） | 23 mOhms |
| 功率耗散 | 340 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-220-3 FP |
| 零件号别名 | SP000441774 SPP80P06PHXKSA1 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 173 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 下降时间 | 30 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | SIPMOS |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 18 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 80 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 15.65 mm |
| 典型导通延迟时间 | 24 ns |
| Pd - Power Dissipation | 340 W |
| 上升时间 | 18 ns |
| 技术 | Si |
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